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SiA533EDJ
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
R DS(on) ( Ω )
0.034 at V GS = 4.5 V
I D (A)
4.5 a
Q g (Typ.)
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
N-Channel
12
0.040 at V GS = 2.5 V
0.050 at V GS = 1.8 V
4.5 a
4.5 a
5.6 nC
? Typical ESD Protection: N-Channel 1500 V
P-Channel 1000 V
0.070 at V GS = 1.5 V
0.059 at V GS = - 4.5 V
4.5 a
- 4.5 a
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
P-Channel
- 12
0.081at V GS = - 2.5 V
0.115 at V GS = - 1.8 V
- 4.5 a
- 4.5 a
7.8 nC
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Devices
0.215 at V GS = - 1.5 V
PowerPAK ? SC-70-6 Dual
1
S 1
2
G 1
- 1.5
? DC/DC Converters
D 1
S 2
D 1
D 1
6
G 2
5
2.05 mm
4
S 2
D 2
3
D 2
2.05 mm
Markin g Code
EHX
Part # code
XXX
Lot Tracea b ility
G 1
G 2
and Date code
S 1
D 2
Orderin g Information: SiA533EDJ-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N -Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
V DS
V GS
12
±8
- 12
V
T C = 25 °C
4.5 a
- 4.5 a
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Source Drain Current Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
4.5 a
4.5 a, b, c
4.5 a, b, c
20
4.5 a
1.6 b, c
7.8
- 4.5 a
- 4.5 a, b, c
- 3.7 b, c
- 15
- 4.5 a
- 1.6 b, c
7.8
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
5
1.9 b, c
5
1.9 b, c
W
T A = 70 °C
1.2 b, c
1.2 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e
Document Number: 65706
S10-0214-Rev. A, 25-Jan-10
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
www.vishay.com
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