SIA533EDJ-T1-GE3【PDF 1/14 页】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

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SiA533EDJ

Vishay Siliconix

N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

FEATURES

V DS (V)

R DS(on) ( Ω )

0.034 at V GS = 4.5 V

I D (A)

4.5 a

Q g (Typ.)

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

? TrenchFET ? Power MOSFETs

N-Channel

0.040 at V GS = 2.5 V

0.050 at V GS = 1.8 V

4.5 a

5.6 nC

? Typical ESD Protection: N-Channel 1500 V

P-Channel 1000 V

0.070 at V GS = 1.5 V

0.059 at V GS = - 4.5 V

4.5 a

- 4.5 a

? 100 % R g Tested

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

P-Channel

- 12

0.081at V GS = - 2.5 V

0.115 at V GS = - 1.8 V

- 4.5 a

7.8 nC

APPLICATIONS

? Load Switch for Portable Devices

0.215 at V GS = - 1.5 V

PowerPAK ? SC-70-6 Dual

S 1

G 1

- 1.5

? DC/DC Converters

D 1

S 2

D 1

G 2

2.05 mm

S 2

D 2

2.05 mm

Markin g Code

EHX

Part # code

XXX

Lot Tracea b ility

G 1

G 2

and Date code

S 1

D 2

Orderin g Information: SiA533EDJ-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted

N -Channel MOSFET

P-Channel MOSFET

Parameter

Symbol

N-Channel

P-Channel

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V DS

V GS

±8

- 12

T C = 25 °C

4.5 a

- 4.5 a

Continuous Drain Current (T J = 150 °C)

Pulsed Drain Current

Source Drain Current Diode Current

T C = 70 °C

T A = 25 °C

T A = 70 °C

T C = 25 °C

T A = 25 °C

T C = 25 °C

I D

I DM

I S

4.5 a

4.5 a, b, c

4.5 a

1.6 b, c

7.8

- 4.5 a

- 4.5 a, b, c

- 3.7 b, c

- 15

- 4.5 a

- 1.6 b, c

7.8

Maximum Power Dissipation

T C = 70 °C

T A = 25 °C

P D

1.9 b, c

T A = 70 °C

1.2 b, c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e

Document Number: 65706

S10-0214-Rev. A, 25-Jan-10

T J , T stg

- 55 to 150

260

°C

www.vishay.com

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SIA60T 制造商:Xytronic Industries 功能描述:60W Replacement Soldering Iron Assembly

SIA777EDJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

SIA778DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V and 20 V (D-S) MOSFETs

SIA778DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

SI-A8000/3600-1.8 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:High Voltage Silicon Rectifier Diodes

SIA810DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SIA810DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SIA811ADJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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